- metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD)
- Макаров: химическое осаждение из паров металлоорганических соединений
Универсальный англо-русский словарь. Академик.ру. 2011.
metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD)
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Chemical vapor deposition of ruthenium — is a method to deposit thin layers of ruthenium on substrate by Chemical vapor deposition (CVD). A unique challenge arises in trying to grow impurity free films of a catalyst in Chemical vapor deposition (CVD). Ruthenium metal activates C H and C … Wikipedia
Chemical vapor deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… … Deutsch Wikipedia
Metalorganic chemical vapor deposition — (MOCVD) is a chemical vapor deposition process that uses metalorganic source gases. For instance, MOCVD may use tantalum ethoxide (Ta(OC 2H 5) 5), to create tantalum pentoxide (Ta 2O 5), or Tetrakis Dimethyl Amino Titanium(IV) (TDMAT) to create… … Wikipedia
Chemical beam epitaxy — (CBE) forms an important class of deposition techniques for semiconductor layer systems, especially III V semiconductor systems. This form of epitaxial growth is performed in an ultrahigh vacuum system. The reactants are in the form of molecular… … Wikipedia
Chemical Vapour Deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… … Deutsch Wikipedia
Chemical vapour deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… … Deutsch Wikipedia
MOCVD — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE) ist eine Epitaxiemethode zum Wachstum von kristallinen Schichten. Weitere Synonyme für diese Beschichtungstechnologie sind organo metallic vapor… … Deutsch Wikipedia
MOCVD — Metal Organic Chemical Vapor Deposition (Academic & Science » Electronics) … Abbreviations dictionary
Thin-film deposition — is any technique for depositing a thin film of material onto a substrate or onto previously deposited layers. Thin is a relative term, but most deposition techniques allow layer thickness to be controlled within a few tens of nanometers, and some … Wikipedia
MOVPE — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE) ist eine Epitaxiemethode zum Wachstum von kristallinen Schichten. Weitere Synonyme für diese Beschichtungstechnologie sind organo metallic vapor… … Deutsch Wikipedia
Metallorganische Gasphasenabscheidung — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE) ist eine Epitaxiemethode zum Wachstum von kristallinen Schichten. Weitere Synonyme für diese Beschichtungstechnologie sind organo metallic vapor… … Deutsch Wikipedia
